原子欠損あるいはBoronやNitrogen原子置換を有するグラフェン並びにシリセンの電子構造

佐藤 万紗子; 鈴木 郁哉; 神保 佳永子; 武田 京三郎

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原子欠損あるいはBoronやNitrogen原子置換を有するグラフェン並びにシリセンの電子構造

机译：具有原子缺陷或硼或氮原子取代的石墨烯和硅烯的电子结构

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第一原理クラスター計算により決定された局所構造変形を採り入れたグラフェンおよびシリセンにおける原子欠損並びに原子置換に伴う電子状態を強結合(Tight Binding; TB)バンド計算を用いて算出した. 置換原子としてはπ 電子欠損を発生するBoron (B)およびπ 電子余剰を発生するNitrogen (N)，さらにはBとN対置換を含むπ 電子補償系を考察し，それらのバンド構造を明らかにした.

机译：使用紧束缚（TB）带计算来计算与石墨烯和硅碳中的原子取代相关的原子缺陷和电子状态，这些原子结合了由第一原理簇计算确定的局部结构变形。考虑导致i>π电子缺乏的硼（B），产生π电子剩余的氮（N）和包括B和N对取代及其能带的π电子补偿系统。澄清了结构。

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来源
《Journal of computer chemistry》 |2019年第4期|共11页
作者
佐藤万紗子; 鈴木郁哉; 神保佳永子; 武田京三郎;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种
中图分类化学;
关键词
グラフェンシリセンゲルマネン原子欠損原子置換;

机译：Grafensilisen Germanen原子缺失原子替代;

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