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机译:右手和左手光子晶体的实际一维层的缺陷和带隙分析
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机译:各向异性非磁性右手和左手超材料的分层周期结构的光子带隙和缺陷模式
机译:由PECVD沉积(HMDSO,N_2)的混合物涂覆的一维光子晶体的光子带隙和缺陷模式
机译:左旋材料构成结构缺陷层的一维光子晶体的缺陷态性质
机译:陶瓷层层红外波长光子带隙晶体的制备
机译:通过电压阳极氧化与光程长度调制具有精确光子带隙位置的二氧化钛光子晶体
机译:右侧和左手光子晶体真正一维层的缺陷和带隙分析