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机译:右侧和左手光子晶体真正一维层的缺陷和带隙分析
A.R. Maleki Jav; N. Granpayeh;
机译:右手和左手光子晶体的实际一维层的缺陷和带隙分析
机译:各向异性非磁性右手和左手超材料的分层周期结构的光子带隙和缺陷模式
机译:左旋材料构成结构缺陷层的一维光子晶体的缺陷态性质
机译:陶瓷层层红外波长光子带隙晶体的制备
机译:通过电压阳极氧化与光程长度调制具有精确光子带隙位置的二氧化钛光子晶体
机译:具有可调多个光子带隙的准周期一维光子晶体
机译:用于控制隧道电子流的光电组件包括一个光子晶体,该光子晶体在其光子带隙中具有缺陷模式,该光子晶体的能量使光子能诱发电子跃迁
机译:使用薄层电泳分析和物理缺陷测量方法的目标薄膜层的带隙,能够获得使用氧化物半导体或氧化物导体的电气材料的高效率和高可靠性
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