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机译:用于混合信号应用的具有双栅极氧化物的LDMOS晶体管的性能优化
机译:混合信号应用中具有双功函数门的扩展漏极MOS晶体管的电气特性和优化
机译:具有优化的部分n + sup>埋层的SOI-LDMOS晶体管,可提高功率放大器应用的性能
机译:带有薄栅极氧化物作为输出驱动器的高压p型LDMOS晶体管的ESD鲁棒性关注和优化
机译:具有0.25 / spl mu / m SiGe:C BiCMOS技术的5 nm栅极氧化物的高性能RF LDMOS晶体管
机译:通过快速热处理制造的用于金属氧化物半导体场效应晶体管应用的直接隧道栅氧化物的研究。
机译:使用氧化锆纳米线作为高k栅极电介质的高性能顶门石墨烯纳米晶体管
机译:双栅极场效应晶体管:平面双栅纸/氧化物场效应晶体管作为通用逻辑门(ADV。电子。Matter。12/2018)