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{Bi}_{2} {Se}_{3}

【24h】

Potential Thermoelectric Performance from Optimization of Hole-Doped class='aps-inline-formula'> ${Bi}_{2} {Se}_{3}$

机译：通过优化掺杂空穴的 class =“ aps-inline-formula”> $Bi2Se3展开▼获取原文免费外文文献都是OA文献，本网站仅为用户提供查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，请知悉并谅解掌桥外文数据库（机构版） >> 开具论文收录证明 >> 免费页面导航摘要著录项相似文献相关主题摘要 We present an analysis of the potential thermoelectric performance of hole-doped Bi2Se3, which is commonly considered to show inferior room temperature performance when compared to Bi2Te3. We find that if the lattice thermal conductivity can be reduced by nanostructuring techniques (as have been applied to Bi2Te3 in Refs.?[W. Xie, X. Tang, Y. Yan, Q. Zhang, and T.?M. Tritt, Unique Nanostructures and Enhanced Thermoelectric Performance of Melt-Spun BiSbTe Alloys, Appl. Phys. Lett. 94, 102111 (2009); B. Poudel et al., High-Thermoelectric Performance of Nanostructured Bismuth Antimony Telluride Bulk Alloys, Science 320, 634 (2008).]) the material may show optimized ZT values of unity or more in the 300–500?K temperature range and thus be suitable for cooling and moderate temperature waste heat recovery and thermoelectric solar cell applications. Central to this conclusion are the larger band gap and the relatively heavier valence bands of Bi2Se3. 展开▼ 机译：我们对空穴掺杂的Bi2Se3的潜在热电性能进行了分析，与Bi2Te3相比，通常认为该性能显示出较差的室温性能。我们发现，如果可以通过纳米结构技术降低晶格的热导率（如参考文献[W. Xie，X. Tang，Y. Yan，Q. Zhang，and T.M. Tritt，熔纺BiSbTe合金的独特纳米结构和增强的热电性能，Appl。Phys。Lett。94，102111（2009）; B.Poudel等人，纳米结构碲化铋锑大块合金的高热电性能，Science 320，634（ 2008）。）该材料在300–500？K的温度范围内可能显示出最佳的ZT值等于或大于1，因此适用于冷却和中温余热回收以及热电太阳能电池应用。该结论的核心是Bi2Se3的较大带隙和相对较重的价带。展开▼ 著录项来源《Physical Review X》 | 2011年第2期 | 共1页作者 David Parker; David J. Singh; 展开▼ 作者单位展开▼ 收录信息原文格式 PDF 正文语种中图分类物理学; 关键词入库时间 2022-08-18 14:06:15 相似文献外文文献中文文献专利 1. v 4, v 5, v 6, v 7 : Nonlinear hydrodynamic response versus LHC data [J] . Li Yan, Jean-Yves Ollitrault Physics letters
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