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机译:利用纳米晶体电荷限制的可穿戴多路复用硅非易失性存储阵列
机译:具有硅纳米晶体作为非易失性存储器件电荷捕获层的氮化硅的存储特性
机译:使用胶束路线形成钴纳米晶体有序阵列的非易失性纳米晶体电荷陷阱闪存设备
机译:具有NH_3-等离子处理和Pd-纳米晶体嵌入式电荷存储层的氧化硅-氮化物-氧化硅-硅类型非易失性存储器的稳健数据保留和卓越的耐久性
机译:Ge纳米晶体嵌入SiO_2的MIS存储器件的纳米晶体禁闭及可能的电荷存储机制
机译:基于物理的硅纳米晶非易失性闪存单元充电动力学建模
机译:利用纳米晶体电荷限制的可穿戴多路复用硅非易失性存储阵列
机译:使用纳米晶体电荷限制的可穿戴多路复用硅非易失性存储器阵列
机译:重离子暴露对纳米晶非挥发性记忆的影响