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Propiedades Termoeléctricas Y De Transporte En Aleaciones De Bi0.88Sb0.12

机译:Bi0.88Sb0.12合金的热电和输运性质

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摘要

120 1920x1200 Normal 0 false false false EN-US X-NONE X-NONE Se estudia el comportamiento de las propiedades de transporte en aleaciones policristalinas de Bi 0 : 88 Sb 0 : 12 preparadas por el método de prensado en caliente. Estas propiedades se estudiaron a partir de mediciones de coeficiente Seebeck S ( T ) , resistividad eléctrica _ ( T ) en función de la temperatura y tiempo de procesamiento en el rango de temperaturas entre 100 K y 290 K . El coeficiente Seebeck es negativo en todo el rango de temperatura estudiado, indicando una conducción eléctrica mediante electrones; la magnitud de S ( T ) muestra valores máximos cercanos a 160 _V=K . Con el tiempo de procesamiento se incrementa tanto el carácter semiconductor como la magnitud de la resistividad eléctrica, alcanzando a temperatura ambiente valores cercanos a 10 mcm . A partir del estudio de las propiedades de transporte se determinó el factor de potencia termoeléctrico PF , el cual alcanza valores máximos cercanos a 60 _W=K 2 cm en el caso de la muestra de tratada a 250 0 C durante 5 horas. Adicionalmente, las propiedades morfológicas y estructurales se estudiaron a partir del análisis de Microscopía Electrónica de Barrido (SEM) y difracción de rayos X (DRX), respectivamente.   120 1920x1200 Normal 0 false false false EN-US X-NONE X-NONE We have studied the behavior of transport properties of Bi 0 : 88 Sb 0 : 12 polycrystalline samples grown by hot pressing method. These properties were studied from measurements of the Seebeck coefficient S ( T ) , electrical resistivity _ ( T ) as a function of temperature and the processing time in the temperature range between 100 and 290 K . The Seebeck coefficient is negative in the studied temperature range, which suggests an electrical conduction by negative electrical charges; S ( T ) shows maximum values close to
机译:120 1920x1200正常0假假否EN-US X-NONE X-NONE研究了通过热压法制备的Bi 0:88 Sb 0:12的多晶合金的传输性能行为。这些特性是通过在100 K至290 K的温度范围内测量塞贝克系数S(T),电阻率_(T)作为温度和处理时间的函数来研究的。塞贝克系数在整个研究温度范围内均为负值,表明通过电子进行导电。 S(T)的大小显示最大值接近160 _V = K.随着处理时间的增加,半导体特性和电阻率的幅度都增加,在室温下达到接近10 mcm的值。从传输特性的研究中,确定了热电功率因数PF,在250 0 C下处理5小时的样品中,其达到接近60 _W = K 2 cm的最大值。此外,分别通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析研究了形态和结构特性。 120 1920x1200正常0假假否EN-US X-NONE X-NONE我们已经研究了通过热压法生长的Bi 0:88 Sb 0:12多晶样品的传输特性行为。通过测量塞贝克系数S(T),电阻率_(T)作为温度和100至290 K之间温度范围内的处理时间的函数来研究这些性质。塞贝克系数在所研究的温度范围内为负,这表明负电荷会导通; S(T)显示接近于的最大值

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