Preparación De Semiconductores Tipo ZnO Y ZnO/Mn Por Sol Gel, Y Análisis Del Efecto Dopante

摘要

!-- @page { margin: 2cm } P { margin-bottom: 0.21cm } -- Este trabajo estudia las propiedades ópticas de películas delgadas de ZnO y ZnO/Mn sobre substrato de SiO 2 . La solución de ZnO se preparó sometiendo a reflujo a 70ºC por 3 horas una solución de acetato de cinc 0.125M en etanol anhidro con la posterior adición de Trietanolamina como acomplejante en una relación molar 6:5. El sol de ZnO/Mn se sintetizó utilizando como precursores químicos acetato de zinc y acetato de manganeso y como disolvente dimetilformamida, siguiendo la metodología sol gel. La relación molar de manganeso con respecto al cinc es del 6%. El depósito de las películas se realizó mediante la técnica de spin-coating a una velocidad de 2000 rpm sobre substratos de SiO 2 . Se obtuvieron un total de diez capas para cada semiconductor y cada capa se trato térmicamente en una mufla con flujo de oxígeno a 80ºC por 20 minutos y a 500ºC por una hora. La caracterización óptica de las películas se llevó a cabo por espectrometría de absorción con un equipo Perkin Elmer lambda 11. El espesor de la monocapa se calculó por interferometría dando un valor para la monocapa alrededor de 150nm para el ZnO y de 165nm para el ZnO/Mn. Los resultados de DRX de las películas delgadas muestran la obtención de una fase única Hexagonal tanto para el ZnO como para el ZnO/Mn.