机译:具有Al2O3 / SiO2Gate介质的MOS器件中的电流隧穿
机译:一种隧道电流模型,具有超薄高k电介质ZrO <下标> 2 下标>材料的MOS器件的现实障碍
机译:基于超薄HfO_2高k介电材料的MOS器件的隧穿电流密度模型
机译:低于45纳米CMOS器件中栅极电介质堆栈中的隧道电流
机译:使用第一原理计算比较用于超大规模集成的MOS器件中通过SiO2,HfO2,Ta2O5,ZrO2和Dy2O3电介质的隧道电流
机译:基于一氧化二氮的超薄栅极和隧道电介质用于MOS器件的开发。
机译:以滑石粉为参考材料的玻璃微珠的介电特性用于介电方法和土壤水分测量装置的校准和验证
机译:具有AL2O3 / SIO2栅极电介质的MOS器件中的电流隧道
机译:隧道电流对超晶格器件结构变化的依赖性