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机译:用于C波段应用的4.2至5.4 GHz堆叠GaAs HBT功率放大器
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机译:单片3.5至6.5 GHz GaAs HBT-HEMT /共发射极和共栅堆叠式功率放大器
机译:使用2 µm GaAs HBT工艺的宽带堆叠功率放大器,用于C波段应用
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:电子和传感器E类功率放大器中使用谐振电感的无线充电系统
机译:ud中的高性能2.4GHz线性功率放大器增强模式GaAs pHEMT技术