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机译:等离子体辅助MBE在Si(111)上使用超薄金层的InN纳米棒生长机理的研究
机译:使用薄的GaN-AIN缓冲层通过等离子体辅助MBE在Si(111)上生长的N面InN的微观结构
机译:Co和Ni / Au(111)超薄层的电沉积。第一部分:原位STM的成核和生长机理
机译:具有超薄缓冲层的Si(111)表面上超薄Co膜的MBE生长
机译:等离子体辅助的InN薄膜的MBE生长和InAlN / InN异质结构
机译:单层组件中结构和反应性的研究:1.链烷硫醇盐自组装单层在Au上的臭氧分解。 2.超薄金膜的面内电阻率是一种高灵敏度的液-金属界面化学吸附分子区分探针。
机译:PA-MBE在铝覆盖的Si(111)衬底上自组装InN纳米柱的生长机理和性能
机译:等离子体辅助MBE在Si(111)上使用超薄金层生长InN纳米棒的机理研究
机译:Xps研究si(100)和si(111)表面上超薄铂和铱硅化物层的形成。