机译:磁盘密度达到4 Tbit / in2的面密度的路线图
机译:磁盘密度达到4 Tbit / in〜2的面密度的路线图
机译:在2.5 Tbit / in2和更高的面密度下进行头和位模式的媒体优化
机译:磁头-磁盘界面纳米摩擦学,用于Tbit / inch〜2记录密度:近接触和接触记录
机译:垂直密度大于100 Gb / in 2 sup>的垂直记录头
机译:热辅助磁记录,面密度超过每平方英寸1Tbit
机译:实际信息存储在铁电记录介质中记录密度为4 Tbit / in.2
机译:头磁盘接口路线图至Tber / In2的面部密度