Analyse unterschiedlicher Modellierungsvarianten des "Direct Power Injection" Verfahrens für die EMV Charakterisierung integrierter Schaltungen

摘要

Dieser Beitrag analysiert zwei Ans?tze zur Modellierung einesTeststandes zur Charakterisierung von integrierten Schaltungen mittelsDirect Power Injection (DPI) auf einem Wafer. Die erste Variante ist zurAnalyse bereits vorliegender integrierter Schaltungen nutzbar. Sieben?tigt gemessene S-Parameterdaten, mit denen die an einem realenMessobjekt anliegenden St?rspannungen frequenzabh?ngig bestimmtwerden k?nnen. Die zweite Variante ist bereits anwendbar, bevor Siliziumgefertigt worden ist. Sie modelliert einen Netzwerkanalysatorkanal der auseiner Signalquelle, einem Leistungsmesser und einem Verst?rker mitnachgeschaltetem Richtkoppler und Entkoppelnetzwerken besteht. Zun?chstwerden die oben genannten verschiedenen Varianten derDPI-Streckenmodellierung dargestellt. Sie werden miteinander und anhand vonMessdaten einer einfachen Teststruktur verglichen. Die Teststruktur bestehtaus einem MOS-Transistor mit Arbeitswiderstand. Der Beitrag diskutiert Vor-und Nachteile der Varianten einschlie?lich Modellierungsaufwand undSimulationsgeschwindigkeit.