Warum SiC für 650 Volt?

摘要

DESIGN&ELEKTRONIK: Herr Dr. Metzger, normalerweise schielt man mit Siliziumkarbid-Bauteilen eher zu höheren Spannungen Richtung 1700 Volt oder 3,3 kV. Warum hat Infineon sich entschlossen, seine CoolSiC-Familie nach unten zu erweitern? Metzger: Sie haben Recht, Siliziumkarbid eignet sich aufgrund seiner physikalischen Eigenschaften, beispielsweise wegen der hohen thermischen Leitfähigkeit, für Anwendungen mit hohen Spannungen bis etwa drei Kilovolt. Die besonderen Eigenschaften dieses Wide-Bandgap-Materials kommen aber bereits ab Spannungen von etwa 650 Volt zum Tragen.