Zweifach besser

摘要

Thermisch verbesserte IC-Gehäuse zeigen auch bessere elektrische Eigenschaften als Standardgehäuse: Weil die parasitären Induktivitäten geringer sind, lässt sich der Wirkungsgrad in DC/DC-Wandlern zusätzlich steigern. Dies zeigt eine vergleichende Messung zwischen MOSFETs in einem Standard-SOS- und einem PowerPAK-SO8-Gehäuse.