Einen dualen Leistungs-MOSFET, der für den Einsatz in Synchrongleichrichtern für DC/DC-Wandler vorgesehen ist, hat Re-nesas präsentiert. Der »RJK0383 DPA« im WPAK-Gehäuse enthält zwei Leistungs-MOSFETs unterschiedlichen Typs, von denen einer als High-Side- und der andere als Low-Side-Schalter fungiert. Während der High-Side-MOSFET eine Q_(GD) von 1,5 nC hat, besitzt der Low-Side-MOSFET einen On-Wider-stand von 3,7 mΩ. Zusätzlich ist eine Schottky-Barrier-Diode (SBD) integriert, um die parasitäre Induktivität zwischen bei-rnden Bauelementen zu verringern. Dies beschleunigt das Schalten des Stromflusses zur SBD während der Totzeit des DC/DC-Wandlers, sodass die Verluste weiter sinken.
展开▼
