MOSFET im Power-SO8

摘要

Den ersten MOSFET seiner »NextPower«-Reihe hat NXP Semiconductors vorgestellt. Es handelt sich dabei um einen 30-V-Baustein im Power-SO8-Gehäuse mit einem RDS(onl von 1,4 mQ bei 4,5 V. Der neue MOSFET des Typs »PSMN1R0-30YLC« ist für Schalt-Anwendungen mit Spannungen von 4,5 V optimiert und wird mit dem LFPAK angeboten. Die NextPower-Technologie wurde eigens für DC/DC-Wandler hoher Leistung wie zum Beispiel synchrone Abwärtswandler, Synchrongleichrichter in isolierten Netzteilen sowie Power-ORing-Anwen-dungen entwickelt.