Weniger Defektstellen im Oxid

摘要

Ein besonderes Problem bei SiC-MOSFETs sind die vielen Defekte in der Gateoxid-Schicht. Indem es die thermischen Oxidationsbedingungen verändert, hat nun ein Team der Universität Tokio ein Gateoxid hergestellt, das wesentlich weniger Defektstellen aufweist.