Регистрация in situ фазовых превращений кремния при наноиндентировании

摘要

Развит метод регистрации in situ фазовых превращений кремния Si-Ⅰ→Si-Ⅱ→Si-Ⅻ/Si-Ⅲ в процессе индентирования. Метод основан на синхронной регистрации Р-h-диаграммы и электрического сопротивления при внедрении индентора в узкий (≈2 мкм) зазор между металлическими пленками, нанесенными на поверхность кремния. Показано, что чувствительность метода позволяет разрешать во времени процесс увеличения объема фазы кремния Si-Ⅱ при индентировании.