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【24h】

Enrichment of alloying elements in anodized magnesium alloys

机译:阳极氧化镁合金中合金元素的富集

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摘要

The possibility of enrichment of alloying elements in magnesium alloys as a consequence of growth of an anodic film has been investigated for sputtering -deposited Mg-0.4 at./100 W and Mg-1.0 at./100 W alloys. The alloys were anodized at 10 mA cm~-2 to various voltages, up to 150 V, in 3 M ammonium hydroxide/0.05 m ammonium phosphate electrolyte at 293 K. The Alloys revealed enrichments of tungsten to at least 1.7×10~`5 and 2.9×10~15 W atoms cm~-2 for The Mg-0.4 at./100 W and Mg-1.0 at./100 W alloys respectively.
机译:对于溅射沉积的Mg-0.4 at。100 W和Mg-1.0 at。100 W合金,已经研究了由于阳极膜生长而导致镁合金中合金元素富集的可能性。合金在293 K的3 M氢氧化铵/0.05 m磷酸铵电解质中,在10 mA cm〜-2下阳极氧化至各种电压,最高150V。合金显示钨的富集度至少为1.7×10〜`5。对于Mg-0.4 at./100 W和Mg-1.0 at./100 W合金,分别具有2.9×10〜15 W W原子cm〜-2。

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