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机译:抗四手性晶格超材料的低频带隙优化设计
IMT Sch Adv Studies Lucca, Piazza S Francesco 19, I-55100 Lucca, Italy;
IMT Sch Adv Studies Lucca, Piazza S Francesco 19, I-55100 Lucca, Italy;
Univ Genoa, DICCA, Via Montallegro 1, I-16145 Genoa, Italy;
Univ Genoa, DICCA, Via Montallegro 1, I-16145 Genoa, Italy;
Meta-materials; Wave propagation; Inertial resonators; Band gap optimization; Nonlinear programming;
机译:可控极值间隙晶格结构的最佳设计
机译:基于低频带空隙的准零刚度超材料的设计与数值验证
机译:低频带空隙的穿孔辅助超材料孔隙布局设计
机译:嵌入式电路超材料,用于可调节的铁磁磁导率,带隙和各向异性介质的新颖设计
机译:InAs / GaInSb和InAsN / GaInSb应变层超晶格带隙的理论模拟。
机译:可控极带隙的晶格结构优化设计
机译:抗四手性晶格超材料的低频带隙优化设计