Ge基二维正方晶格光子晶体带隙优化设计

摘要

采用平面波展开法模拟二维光子晶体在E极化和H极化下的能带结构,研究Ge基二维正方品格光子晶体的填充比以及晶格排列结构对最大禁带宽度的影响.结果表明:在空气背景材料中填充Ge柱的介质柱结构中,可产生TE、TM带隙,且各方向完全带隙出现在r/a =0.19～0.47范围内,最大完全带隙禁带宽度可以达到0.064(归一化频率);在选取Ge为背景材料的空气孔型结构中,同样可产生TE、TM带隙,且各方向完全带隙出现在r/a=0.46～0.49范围内,最大完全带隙禁带宽度可以达到0.051(归一化频率).同时,不论在介质柱型还是空气孔L型结构中,带隙宽度都随着r/a的增大呈先增大后减小的趋势.