机译:使用PMGI / ZEP520A / PMGI / ZEP520A堆叠电阻器对基于InP的HEMT进行T门制造
Zhengzhou University, China;
机译:使用PMGI / ZEP520A / PMGI / ZEP520A堆叠式电阻器对基于InP的HEMT进行T门制造
机译:使用PMGI / ZEP520A / PMGI / ZEP520A堆叠基于INP的垫片的T型栅极制造
机译:使用ZEP520A / UVIII双层进行T栅极制造
机译:间隙填充型HSQ / ZEP520A双层抗蚀工艺-(I)HSQ涂层的ZEP520A CD收缩率,用于32nm沟槽图案
机译:ZEp520a和mr-posEBR抗蚀剂的光刻性能 电子束和极紫外光刻