Schnelle MRAM dank ballistischer Bitansteuerung

摘要

Des temps d'écriture inférieurs à 500 ps pour mémoires magnétiques. Les Magnetic Random Access Memories (MRAM) sont des puces mémoires d'un type nouveau, dans lesquelles l'information numérique (0, 1) n'est pas enregistrée sous forme de charge électrique dans un condensateur, mais dans le sens d'aimantation d'une cellule mémoire magnétique. Les puces MRAM enregistrent les données de manière durable comme sur un disque dur, même après une coupure de l'alimentation électrique. La commande balistique des éléments binaires permettrait même de les programmer plus rapidement que les composants mémoires actuels.%Magnetic Random Access Memories (MRAM) sind ein neuer Typ Speicherchip, in denen die digitalen Informationen (0,1) nicht in Form elektrischer Ladung auf einem Kondensator, sondern in der Magnetisierungsrichtung einer magnetischen Speicherzelle gespeichert werden. Die MRAM-Chips speichern die Daten dauerhaft wie auf einer Festplatte, auch bei abgeschalteter Stromversorgung. Mit der ballistischen Bitansteuerung könnten sie sogar schneller programmiert werden als aktuelle Speicherbauteile.