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Low voltage varistor ceramics based on SnO2

机译:基于SnO2的低压压敏陶瓷

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摘要

The nonlinear current (I)-voltage (V) characteristics of tin dioxide doped with either Nb2O5 and CoO or Sb2O3 and CoO show promising values of nonlinear coefficient (α) values (~11) with low breakdown voltages (E B, ~40 V mm?1). The pentavalent antimony or niobium acts as donor and increases the electronic conductivity. The crucial parameter for obtaining low breakdown voltage is the grain size, which depends upon sintering duration and temperature of these oxide ceramics.
机译:Nb2 O5 和CoO或Sb2 O3 和CoO掺杂的二氧化锡的非线性电流(I)-电压(V)特性显示出有希望的非线性系数值(低击穿电压(EB ,〜40 V mm?1 )的α)值(〜11)。五价锑或铌充当施主并增加电子电导率。获得低击穿电压的关键参数是晶粒尺寸,其取决于这些氧化物陶瓷的烧结持续时间和温度。

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