Найдены функции распределения высокоэнергетических квазичастиц и фононов в тонких сверхпроводящих пленках, возбуждаемых широким источником квазичастиц. Вычислены коэффициенты размножения квазичастиц в процессах ударной ионизации и перепоглощения фононов. Показано, что в большинстве реальных ситуаций электрон-электронные столкновения в плане их влияния на параметр порядка можно не учитывать. Получено выражение для мощности накачки W_c, при которой параметр порядка обращается в ноль. Температурная зависимость критической мощности W_c и, следовательно, мощности потока энергии фононов из пленки в термостат близка к температурной зависимости мощности излучения абсолютно черного тела даже в случае, если распределение фононов является резко неравновесным.
展开▼