ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ОБЛУЧЕНИЯ НА РАДИАЦИОННУЮ СТОЙКОСТЬ ЦИФРОВЫХ ТЕРМОМЕТРОВ DS18B20

摘要

Проведены исследования радиационной стойкости микросхем DS18B20, DS18B20+ и DS18B20/GG8 при воздействии гамма-излучения на установках с изотопными источниками ~(60)Со. Показано, что радиационная стойкость микросхем DS18B20 зависит от температуры окружающей среды, напряжения питания микросхемы и мощности дозы гамма-излучения.