МОДЕЛИРОВАНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ В ЦИФРОВОЙ СХЕМЕ DS18B20 ПРИ ГАММА-ОБЛУЧЕНИИ: ПРИМЕР ИСПОЛЬЗОВАНИЯ МОДЕЛИ ГЛОБАЛЬНЫХ УТЕЧЕК В КМОП ИС

摘要

Using the analytical model of global current leakage under STI insulating oxides of CMOS 1С are described the experimental dose dependencies of leakage currents in DS18B20 digital circuit, obtained under various irradiation conditions: for different values of radiation dose rates, for different irradiation temperatures and for various electrical modes. The modelling shows that the used model very successfully describes all observed experimental dependences. In addition, it is established that the model is capable of describing the differences observed when irradiating CMOS 1С at different sources of ionizing radiation, in particular, at 10 keV X-rays and gamma radiation. It is also shown that the model can be effectively used as a preliminary predicting of CMOS 1С hardness at the stage of their technological design.%С помощью аналитической модели глобальных токовых утечек под STI изолирующими окислами КМОП ИС описываются экспериментальные дозовые зависимости токов утечки в цифровой схеме DS18B20, полученные при различных условиях облучения: для различных значений мощностей доз облучения, для разных температур облучения и для различных электрических режимов. Моделирование показывает, что используемая модель весьма успешно описывает все наблюдаемые экспериментальные зависимости. В дополнение к этому установлено, что модель способна описывать различия, наблюдаемые при облучении КМОП ИС на разных источниках ионизирующего излучения, в частности при рентгеновском (10 кэВ) и гамма-облучении. Показано также, что модель может быть эффективно использована как средство предварительного прогнозирования стойкости КМОП ИС на этапе их технологического проектирования.