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An approach to gauge potentials in the non-Abelian ISO(3) -gauge model of defects in solids

机译:一种非Abelian ISO(3)量规中的固体缺陷测量势的方法

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摘要

A method is proposed to reduce the Cartan structure equations and the Bianchi identities of the non-Abelian ISO(3)-gauge model of defects in solids to the appropriate relations of the theory of disclinations considered as the Abelian ISO(3)-gauge model. As the result, the possibility arises to identify the ISO(3)-gauge potentials in terms of the defect loop densities.
机译:提出了一种方法来将固体缺陷的非阿贝尔ISO(3)量规模型的Cartan结构方程和Bianchi身份简化为被认为是阿贝尔ISO(3)量规模型的旋错理论的适当关系。结果,出现了根据缺陷环密度确定ISO(3)规电位的可能性。

著录项

  • 来源
    《Archives of Mechanics》 |1996年第6期|p.1089-1100|共12页
  • 作者

    C. MALYSHEV;

  • 作者单位

    RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES ST.-PETERSBURG BRANCH OF STEKLOV MATHEMATICAL INSTITUTE, ST.-PETERSBURG, RUSSIA;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 数理科学和化学;
  • 关键词

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