机译:温度,厚度和偏置电流对硅微霍尔传感器磁电特性的影响
Qassim Univ, Dept Elect Engn, Coll Engn, POB 6677, Buraydah 51452, Al Qassim, Saudi Arabia;
Hall effect devices; Scanning Hall probe microscopy; Silicon-on-insulator; Microfabrication; Electrical characteristics; Magnetic characteristics;
机译:质子辐照的AlGaN / GaN基微型霍尔传感器的磁电特性的部分恢复
机译:未掺杂的射频磁控溅射沉积碳化硼(B_5C)/ p型晶体硅异质结的高偏置电流-电压-温度特性
机译:具有氧化硅厚度变化的膜温度传感器的特性
机译:退火温度对生物传感器应用硅基板上溶胶-凝胶法制备TiO2薄膜电流-电压特性的影响
机译:在二氧化f和基于二氧化硅的金属氧化物-硅结构中,与偏置温度不稳定性和应力引起的泄漏电流有关的缺陷的磁共振观察。
机译:FBG温度传感器根据厚度变化改变CFRP复合材料的微波固化特性
机译:非晶硅压区传感器中的反向偏置电流
机译:利用微霍尔器件研究外延硅的低温研究