机译:激光蚀刻铜二级电子产量的各向异性研究
Univ Sci & Technol China Natl Synchrotron Radiat Lab Hefei 230029 Anhui Peoples R China;
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Laser etching technique; Secondary electron yield; Resistance; Oblique incident angle; Parallel and perpendicular incident directions; Oxygen-free copper;
机译:加速水团簇离子(M / z≪50 000)撞击Al2O3和铜表面的二次电子产率比较
机译:真空电子应用中石墨烯涂覆的铜的二次电子产率的计算
机译:注意:由于电子撞击,Ar离子清洗对铜的二次电子产率的测量效果
机译:KEKB正电子环上的光电子和二次电子产量的光电子和二次电子产量研究
机译:表面科学中的两个主题:氧诱导镍铝Al(111)的形态变化;与极紫外光刻相关的钌和二氧化钛表面的二次电子产率研究。
机译:快速质子撞击后薄金属箔的二次电子产率模拟
机译:二次电子倍增器管的研究。低能量正离子的Cu-Be(4%)表面Sy轰击的电气产量