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机译:合成温度依赖于钴掺杂TiO_2薄膜磁性的磁性,用于旋转式应用
Univ Nacl Colombia Dept Fis Grp Mat Nanoestruct & Sus Aplicac Cra 30 45-03 Edificio 404 Lab 121C Ciudad Univ Bogota 11001 Colombia;
Univ Nacl Colombia Dept Fis Grp Mat Nanoestruct & Sus Aplicac Cra 30 45-03 Edificio 404 Lab 121C Ciudad Univ Bogota 11001 Colombia;
机译:自旋电子应用中合成温度对钴掺杂TiO_2薄膜磁性能的影响
机译:LaAlO_3(100)衬底上通过分子束外延外延生长钴掺杂的TiO_2薄膜及其光电应用
机译:镍掺杂TiO_2薄膜的合成及其在不同退火温度下的结构和光学性质
机译:MOCVD技术对钴掺杂TiO_2薄膜的生长温度对Si(100)衬底的影响
机译:钴-(氧化钴,二氧化钴镍,氧化镍)和镍-钴氧化钴纳米复合薄膜的微观结构和磁性。
机译:自旋电子应用中通过共溅射制备的Co掺杂TiO2柔性薄膜的类铁磁行为
机译:LA0.67SR0.33MNO3在SRTIO3缓冲MgO(001)基板上的LA0.67SR0.33MNO3薄膜的室温磁性各向异性