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机译:二次离子质谱测量过程中一次离子物种的稳态表面浓度分布
Matsushita Technoresearch, Inc., Nanotechnology Characterization Team, 3-1-1, Yagumo-Nakamachi, Moriguchi, Osaka 570-8501, Japan;
steady state; SIMS; transient region; depth profiling; bombardment conditions;
机译:原子扩散测量二次离子质谱图的校正
机译:HgCdTe中杂质测量的二次离子质谱和飞行时间二次离子质谱研究
机译:HgCdTe中杂质测量的二次离子质谱和飞行时间二次离子质谱研究
机译:二次离子质谱法观察镓原离子束引起的表面反应
机译:使用二次离子质谱法对半导体材料中注入物种的轮廓进行实验研究。
机译:膜泄漏质谱法直接测量蓝细菌氮吸收的稳态动力学以及固氮和乙炔还原的比较
机译:通过飞行时间对si1-xGex结构进行定量深度剖析 二次离子质谱和二次中性质谱