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机译:N-2等离子体钝化的InP(100)表面的俄歇电子能谱和电特性
Univ Clermont Ferrand, LASMEA, UMR 6602, F-63177 Clermont Ferrand, France;
nitridation; AES; indium phosphide(100); indium nitride; electrical measurements; RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY; NITRIDATION; BOMBARDMENT; BEAMS; GAP; INN;
机译:通过俄歇电子能谱和低能耗能谱研究了InP(100)表面的电子刺激氧化
机译:严格分析光致发光效率以表征InP(100)表面的电子特性
机译:Si-L_(23)VV俄歇电子–Si-2p光电子符合光谱法研究洁净Si(100)-2×1价电子结构的表面位选择
机译:GaP(100)和InP(100)表面的水诱导改性,通过光电子能谱和反射各向异性能谱研究
机译:使用Ag(100)和Cu(100)中的俄歇光电子符合光谱(APECS)对低至0 eV的低能尾巴(LET)进行首次测量。
机译:通过俄歇电子能谱和X射线光电子能谱定量测定表面成分的有效衰减长度
机译:螺旋钻电子光谱和由N2等离子体钝化的INP(100)表面的电气表征
机译:通过螺旋 - 光电子重合光谱研究ag / cu(100)表面合金的电子结构