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机译:根据PbO缓冲层的衬底温度进行XPS研究和Pb1.1Zr0.53Ti0.47O3 / PbO / Si(MRS)结构的电性能
Pusan Natl Univ, Sch Mat Sci & Engn, Pusan 609735, South Korea;
Pusan Natl Univ, Busan Ctr, Korea Basic Sci Inst, Pusan 609735, South Korea;
Pb1.1Zr0.53Ti0.47O3 thin film; PbO buffer layer; MFIS structure; ferroelectric properties; ferroelectric random access memory; PZT THIN-FILMS; SOL-GEL METHOD; FERROELECTRIC PROPERTIES;
机译:PbO缓冲层沉积过程中基体温度对Pl PbZr_(0.53)Ti_(0.47)O_3 PbO Si(MFIS)结构的铁电性能的影响
机译:PbO缓冲层的沉积条件对Pb_(1.1)Zr_(0.53)Ti_(0.47)O_3 PbO Si结构的界面条件的影响
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