机译:(Ga,Mn)As / Si异质结构和无衬底(Ga,Mn)As薄膜的磁输运性质和退火效应
Nagaoka Univ Technol, Dept Elect Engn, Nagaoka 9402188, Japan;
GaMnAs; diluted magnetic semiconductors; low-temperature MBE; GaAs/Si heterostructures; DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; GA1-XMNXAS; GROWTH; (GA; TRANSPORT; (GAMN)AS; MN)AS; GAAS;
机译:不同退火工艺下金属有机分解制备的La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_z薄膜的结构和磁传输性能
机译:退火引起的从(311)A取向的Ga_(0.98)Mn_(0.02)As合金到GaMnAs / MnAs杂化结构的过渡转变
机译:铁磁体(MnAs)/半导体(GaAs,AlAs,InAs)/铁磁体(MnAs)三层异质结构:外延生长和磁传输性能
机译:铁磁性(MNAs)/半导体(GaAs,Alas,InAs)/铁磁性(MNA)三层异质结构:外延生长和磁通量
机译:Si(001)上集成的Cr2O3和La0.7Sr0.3MnO3薄膜异质结构的制备及性能。
机译:Si(111)衬底上ZnO / GaN异质结构纳米柱状薄膜的制备及性能
机译:后退火对pr0.5sr0.5mnO3薄膜结构和磁转运性能的影响