机译:HfO2 / Hf / SiO2 / Si结构的X射线光电子能谱分析
Natl Metrol Inst Japan, Mat Characterizat Div, Tsukuba, Ibaraki 3058565, Japan;
hafnium dioxide; X-ray photoelectron spectroscopy; sputtering deposition; depth profiling; SYSTEM; DIELECTRICS; INTERFACES; DIFFUSION; SIO2/SI;
机译:使用电荷校正X射线光电子能谱对HfO2 / SiO2 / Si叠层进行完整的带偏移表征
机译:沉积在SiO2 / Si表面的高k介电Al2O3和HfO2层的X射线光电子能谱表征
机译:CHF3气体等离子体刻蚀SiO2气凝胶的X射线光电子能谱分析
机译:用于仿真表面分析的电子光谱(Sessa)的新NIST数据库:在硅上的HFO2,ZrO2,HFSIO4和ZRSIO4薄膜的角度分辨X射线光电子能谱应用
机译:高压高温下TiO2和HfO2中相变的X射线衍射研究
机译:TiO2(Ti)/ SiO2 / Si叠层内部结构的软X射线反射法硬X射线光电子能谱和透射电子显微镜研究
机译:发行商注意事项:“用于副0.1μm互补金属氧化物半导体栅极氧化物堆叠的”HFO2 / SiO2接口的热稳定性:软X射线光电子能谱“的价带和定量核心水平研究”J。苹果。物理。 96,6362(2004)
机译:X射线光电子和X射线诱导的俄歇电子能谱数据,3。石墨,si,siC,si sub 3 N sub 4和siO sub 2. si3N4和siO2