机译:用SiH4-H2PECVD法生长μc-Si的生长动力学与微观结构的关系的光学研究
CNR, IMIP, I-70126 Bari, Italy;
Politecn Turin, Dept Phys, I-10129 Turin, Italy;
Mat & Microsyst Lab, I-10034 Turin, Italy;
mu c-Si; PECVD; ellipsometry; Raman spectroscopy; CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; SILICON THIN-FILMS; AMORPHOUS-SILICON; SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY; RAMAN-SPECTROSCOPY; VOLUME FRACTION; TEMPERATURES; CRYSTALLINE; SCATTERING; SUBSTRATE;
机译:纯镍高温氧化形成氧化皮的生长动力学与微观结构之间的关系。二。生长动力学
机译:升高温度下不同底物杂交钙钛矿薄膜的生长动力学及其与微观结构和光学性能的直接相关性
机译:纯镍高温氧化形成氧化皮的生长动力学与微观结构之间的关系。一,形貌与微观结构
机译:0.5 / spl mu / m-thick / spl mu / c-Si太阳能电池通过光CVD在高度织构的SnO / sub 2 /上生长
机译:晶体材料[凝胶生长的酒石酸氢铵铵晶体]的生长,溶解和显微硬度的光学研究。
机译:在微结构光纤中生长的蒽纤维用于X射线检测
机译:纯镍高温氧化形成氧化皮的生长动力学与微观结构之间的关系。 ud二。生长动力学