机译:裂纹的产生对GaN / Al_(0.55)Ga_(0.45)N多量子阱结构和光学性能的影响
State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, China;
nitrides; multiple quantum wells; cracks; dislocations; vacancies; X-ray diffraction;
机译:厚度和载流子密度对Al_(0.44)Ga_(0.56)N / Al_(0.55)Ga_(0.45)N量子阱层的光偏振的影响
机译:AlN界面层对高Al含量Al_(0.45)Ga_(0.55)N / GaN HEMT结构电学性能的影响
机译:GaAs / Al_(0.45)Ga_(0.55)As量子级联激光器中电子和晶格温度的同时测量:对光学性能的影响
机译:喷射器掺杂密度和电子限制对GaAs / Al_(0.45)Ga_(0.55)的性能的影响,作为量子级联激光器
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:具有不同GaN盖层厚度InGaN / GaN多量子阱的光学性质的研究
机译:裂纹产生对GaN / Al0.55Ga0.45N多量子阱结构和光学性能的影响