机译:La2O3掺杂非晶SiO2薄膜作为栅极介电材料的微观结构和介电性能
Nanjing Univ, Natl Lab Solid State Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China;
high-k; gate dielectric; La2O3 doped SiO2; PLD; THIN-FILMS; THERMAL-STABILITY; DEPOSITION; LANTHANUM; SI(100); AL2O3; HFO2;
机译:La_2O_3掺杂非晶SiO_2薄膜作为栅介电材料的微观结构和介电性能
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机译:ALD沉积La2O3 / Al2O3叠层和LaAlO3介电薄膜的电学性能研究
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