机译:在N-2和O-2 + N-2环境中退火的p-GaN上Au / NiOx触点的俄歇电子能谱
Slovak Tech Univ, Dept Microelect, Bratislava 81219, Slovakia;
Johannes Kepler Univ, Inst Solid State Phys & Semicond, A-4040 Linz, Austria;
Tech Univ Ilmenau, Ctr Micro & Nanotechnol, D-98693 Ilmenau, Germany;
Slovak Acad Sci, Inst Elect Engn, Bratislava 84104, Slovakia;
gallium nitride; nickel oxide; AES depth profiling; TEM; low resistivity contact; RESISTANCE OHMIC CONTACTS; NIO THIN-FILMS; NI/AU;
机译:在N_2和O_2 + N_2环境中退火的p-GaN上Au / NiO_x接触的俄歇电子能谱
机译:洞察石墨烯/ p-GaN与NiOx接触层的退火诱导欧姆接触形成
机译:退火后Au / Ni触头在p-GaN上的结构和电性能的演变
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机译:俄歇,零能光电子,重合光谱(aZEpECO):化学位点选择性俄歇电子能谱