机译:MOCVD沉积条件对四方ZrO_2薄膜理化性质的影响
Univ. Paris Sud 11, LEMHE-ICMMO, CNRS UMR 8182, Bat. 410, F-91405 Orsay Cedex, France;
Univ. Paris Sud 11, LEMHE-ICMMO, CNRS UMR 8182, Bat. 410, F-91405 Orsay Cedex, France;
Univ. Paris Sud 11, LEMHE-ICMMO, CNRS UMR 8182, Bat. 410, F-91405 Orsay Cedex, France;
CNRS, LAAS, Universite de Toulouse, 7 av. du Colonel Roche, F-31077 Toulouse Cedex, France;
University of Silesia, August Cheikowski Institute of Physics, Uniwersytecka 4, 40-007 Katowice, Poland;
THALES Research & Technology France, RD 128, 91767 Palaiseau, France;
DLI-MOCVD; ZrO_2; tetragonal and monoclinic phases; 3D; high aspect ratio pores;
机译:晶格参数对Ge(001)原子层沉积薄膜中四方ZrO_2和La掺杂ZrO_2晶体介电常数的影响
机译:“通过金属有机化学气相沉积为3D电容器沉积的纳米晶化的四方亚稳态ZrO_2薄膜”的勘误[Thin Solid Films 519(2011)5638-5644]
机译:LI-MOCVD沉积ZrO_2薄膜的微观结构表征及沉积机理研究
机译:Ge(001)上的四方晶相和单斜晶相的检测及其对原子层沉积La掺杂ZrO_2薄膜的介电常数的作用
机译:沉积条件对非平面表面介电薄膜性能空间变化的影响。
机译:金属有机化学气相沉积(MOCVD)异质外延Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜的合成:工艺条件对结构/形态和功能特性的影响
机译:沉积温度对MOCVD硫化钼薄膜一些性质的影响
机译:用mOCVD和pE-mOCVD原位沉积YBCO高Tc超导薄膜