机译:使用H_2 / CH_4和H_2 / CH_4 / Ar等离子体阐明干法刻蚀的ZnO的表面特性
Department of Electronics Engineering, Vanung University, Chung-Li 32061, Taiwan;
zinc oxide; surface roughness; dry etching;
机译:电感耦合的Cl_2 / CH_4 / H_2 / Ar和BCl_3 / CH_4 / H_2 / Ar等离子体中ZnO和Al掺杂ZnO的刻蚀特性
机译:CH_4浓度对聚焦微波Ar / CH_4 / H_2等离子体射流合成的超纳米晶金刚石膜的生长行为,结构和透明性的影响
机译:CH_4 / H_2 / Ar等离子体中掺杂元素对ZnO刻蚀特性的影响
机译:使用H_2 / CH_4和H_2 / CH_4 / Ar混合物对ZnO进行反应性离子刻蚀
机译:直流放电等离子体聚合动力学,薄膜性能和应用的研究以及通过射频等离子体聚合对二氧化硅粉末表面改性的初步研究。
机译:Ar等离子体处理改善ZnO纳米线的光学性能和激光发射
机译:CH_4 / H_2混合气体和膜沉积中的ECR等离子体(表面处理)