机译:超薄硅膜表面的悬空键对内部原子电子态的影响
Department of Communication Engineering, Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197,Japan;
Department of Communication Engineering, Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197,Japan;
silicon; ilm; density of states; dangling bond; mid-gap states;
机译:硅(001)表面上的磷和氢原子:具有单悬键的表面物种的比较扫描隧道显微镜研究
机译:MgO(100)表面和MgO / Mo(100)超薄膜上的Pd,Ag和Au原子的键合:比较DFT研究
机译:超薄硅膜的内原子与其二聚体表面之间的斗争
机译:Si(100)/ SiO2界面处的硅悬空键和氢原子钝化导致的缺陷状态
机译:硅表面上耦合的悬挂键对的相干性
机译:通过磷供体原子和硅悬空键对的电流
机译:超薄硅膜的内原子与其二聚体表面之间的斗争
机译:非晶氢化氮化硅薄膜中的光诱导氮悬挂键。