机译:快速热退火对直流溅射掺杂和共掺杂ZnO薄膜的结构,光学和电学性质的影响
School of Electronics Engineering, KIIT University, Campus-3, Patia, Bhubaneswar, Orissa 751024, India;
School of Applied Sciences, K1IT University, Campus-3, Patia, Bhubaneswar 751024, India;
School of Electronics Engineering, KIIT University, Campus-3, Patia, Bhubaneswar, Orissa 751024, India;
Doped and co-doped ZnO thin films; Thermal annealing; DC sputtering;
机译:衬底温度对直流磁控溅射Al和Ga共掺杂ZnO薄膜结构,形貌,电学和光学性质的影响
机译:快速热退火对线性面向靶溅射生长ZnO掺杂In_2O_3薄膜的电,光学和结构性能的影响
机译:热退火对溶胶-凝胶法制备的Al-Ni共掺杂ZnO薄膜结构,电学和光学性能的影响
机译:通过快速热退火通过RF磁控溅射在(0001)蓝宝石衬底上生长的Ga掺杂ZnO薄膜的光致发光和光学性质
机译:原位热退火工艺对脉冲激光沉积制造CDS Cdte薄膜太阳能电池结构,光学和电性能的影响
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:热退火对溶胶-凝胶法制备的Al-Ni共掺杂ZnO薄膜结构,电学和光学性能的影响