机译:磁控溅射氧氮化钽薄膜的组成和结构变化,取决于沉积参数
Transilvania Univ, Dept Mat Sci, Brasov 500036, Romania;
Transilvania Univ, Dept Mat Sci, Brasov 500036, Romania;
Transilvania Univ, Dept Mat Sci, Brasov 500036, Romania;
Natl Inst Laser Plasma & Radiat Phys, Laser Dept, Magurele, Romania;
Univ Lisbon, Inst Super Tecn, Ctr Ciencias & Tecnol Nucl, P-2695066 Bobadela Lrs, Portugal;
Univ Lisbon, Inst Super Tecn, Inst Plasmas & Fusao Nucl, P-2695066 Bobadela Lrs, Portugal;
Univ Lyon, Ecole Cent Lyon, Inst Nanotechnol Lyon, CNRS,UMR 5270, F-69134 Ecully, France|INSA Lyon, MATEIS Lab, F-69621 Villeurbanne, France;
Univ Minho, Ctr Phys, P-4710057 Braga, Portugal;
Univ Minho, Ctr Phys, P-4710057 Braga, Portugal;
Tantalum oxynitride; Sputtering; SEM; RBS; Structure;
机译:磁控溅射制备氧氮化钽薄膜的性能:工艺参数的影响
机译:高基板温度下反应磁控溅射沉积钽氮化钽薄膜光催化剂的制备
机译:通过在Ar / O_2 / N_2射频磁控等离子体中溅射钽靶标来控制氧氮化钽薄膜的成分
机译:直流磁控溅射参数对二硼化钽薄膜结构,组成和摩擦学性能的影响
机译:离子辅助磁控溅射钽薄膜的沉积与表征
机译:靶成分和溅射沉积参数对沉积在聚合物基底上的氮化银-坡莫合金柔性薄膜功能性能的影响
机译:磁控溅射制备氧氮化钽薄膜的性能:工艺参数的影响
机译:用于HmC(混合微电路)应用的氮化钽,钛和钯薄膜沉积的DC磁控溅射系统的表征。