机译:使用金属辅助化学蚀刻的可控倾斜轮廓的均匀沟槽阵列
Natl Chi Nan Univ, Dept Appl Mat & Optoelect Engn, Nantou 545, Taiwan;
Natl Chi Nan Univ, Dept Appl Mat & Optoelect Engn, Nantou 545, Taiwan;
Natl Chi Nan Univ, Dept Appl Mat & Optoelect Engn, Nantou 545, Taiwan;
Natl Chi Nan Univ, Dept Appl Mat & Optoelect Engn, Nantou 545, Taiwan;
Silicon; Etching kinetics; Electrochemistry; Anisotropic etching; Profile control;
机译:使用纳米多孔催化剂的金属辅助化学蚀刻在高纵横比的硅上进行均匀的垂直沟槽蚀刻
机译:最小化金属辅助化学蚀刻中的隔离催化剂运动,用于硅纳米孔阵列的深沟槽
机译:金属辅助化学刻蚀制备大面积均匀硅纳米线阵列
机译:使用湿金属辅助化学蚀刻(MaCE)工艺在SOI上进行高纵横比的亚微米沟槽蚀刻
机译:通过化学气相沉积可控制生长均匀直径的多壁碳纳米管阵列,以用于场发射器件。
机译:球面光刻技术结合金属辅助化学刻蚀和各向异性化学刻蚀在Si(111)衬底上制造的三角形孔阵列
机译:使用金属辅助化学蚀刻的大规模合成高度均匀的硅纳米线阵列