机译:局部监测GaAs(001)表面在氧化,湿法去除氧化物和热平滑下的原子台阶
Rzhanov Inst Semicond Phys, 13 Lavrentiev Aven, Novosibirsk 630090, Russia|Novosibirsk State Univ, Novosibirsk 630090, Russia;
Rzhanov Inst Semicond Phys, 13 Lavrentiev Aven, Novosibirsk 630090, Russia|Novosibirsk State Univ, Novosibirsk 630090, Russia;
Rzhanov Inst Semicond Phys, 13 Lavrentiev Aven, Novosibirsk 630090, Russia|Novosibirsk State Univ, Novosibirsk 630090, Russia;
Rzhanov Inst Semicond Phys, 13 Lavrentiev Aven, Novosibirsk 630090, Russia;
Rzhanov Inst Semicond Phys, 13 Lavrentiev Aven, Novosibirsk 630090, Russia|Novosibirsk State Univ, Novosibirsk 630090, Russia;
Rzhanov Inst Semicond Phys, 13 Lavrentiev Aven, Novosibirsk 630090, Russia|Novosibirsk State Univ, Novosibirsk 630090, Russia;
Atomic steps; Surface smoothing; Local oxidation; GaAs; Monte Carlo simulation;
机译:原子阶跃缺陷位点在一氧化碳催化氧化中的作用:Ru(001)和Ru(109)单晶表面的比较
机译:结合原位和异位分析氢自由基以及从(001)GaAs中热去除天然氧化物
机译:半导体原子层蚀刻的湿化学方法:表面化学,InAs的氧化物去除和再氧化(100)
机译:室温硅(001)在高温原子氧气束中的氧化
机译:表面物理学的理论和实验研究:钠原子在阶梯式Na(110)表面上感受到的表面电迁移风力的理论;银(001)上反铁磁性氧化镍薄膜的磁和无序相变。
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究
机译:Fe(001)表面氧化的早期阶段:第一单层的原子结构。