机译:HfO2 / III-V相干和半相干界面的电子结构和相对稳定性
Univ Turku, Dept Phys & Astron, FI-20014 Turku, Finland;
Univ Turku, Dept Phys & Astron, FI-20014 Turku, Finland;
Univ Turku, Dept Phys & Astron, FI-20014 Turku, Finland;
Univ Turku, Dept Phys & Astron, FI-20014 Turku, Finland;
Univ Turku, Dept Phys & Astron, FI-20014 Turku, Finland;
Univ Turku, Dept Phys & Astron, FI-20014 Turku, Finland;
Univ Turku, Dept Phys & Astron, FI-20014 Turku, Finland;
Univ Turku, Dept Phys & Astron, FI-20014 Turku, Finland;
Univ Turku, Dept Phys & Astron, FI-20014 Turku, Finland;
Univ Turku, Dept Phys & Astron, FI-20014 Turku, Finland;
Semiconductors; Interfaces; DFT; Bonding; Defect; Band gap;
机译:具有相干和半相干界面的核-壳纳米线结构的变形行为
机译:核心壳纳米线结构具有相干和半相干界面的变形行为
机译:半相干界面的弛豫机理,结构和性质
机译:Cu / Nu(100)半相干界面的位错结构及其在晶格位错成核中的作用
机译:氧化物/ III-V(001)界面的原子和电子结构的表征。
机译:杂化硅/氟硅碳纳米带电子结构和界面稳定性的第一性原理研究
机译:半相干界面的弛豫机制,结构和性质