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【24h】

Injection-Voltaic Effect Based on Multilayer Semiconductor Structures

机译:基于多层半导体结构的注入伏特效应

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摘要

The analogy between the photovoltaic effect in solar cells and the injection-voltaic effect in the multilayer p-n semiconductor structures is described. The possibility to create a new elemental base of analog and digital electronic devices based on the injection-voltaic effect is demonstrated.
机译:描述了太阳能电池中的光伏效应与多层p-n半导体结构中的注入电压效应之间的类比。演示了基于注入电压效应创建模拟和数字电子设备的新元素基础的可能性。

著录项

  • 来源
    《Applied solar energy》 |2009年第1期|9-13|共5页
  • 作者单位

    Tashkent University of Information Technologies;

    Tashkent University of Information Technologies;

    Tashkent University of Information Technologies;

    Tashkent University of Information Technologies;

    Tashkent University of Information Technologies;

  • 收录信息 美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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